晶圓代工廠競相擴產 2011年半導體產能供過於求

作者: 梁振瑋 / 王智弘
2010 年 09 月 09 日

全球半導體市場脫離2009年經濟風暴後迅速復甦,晶圓代工大廠紛紛增加資本支出,並向先進製程靠攏,今年除推展40奈米(nm)製程外,28和20奈米製程規畫也如火如荼展開。分析師預測,隨著新產能陸續開出,2011年全球晶圓代工市場將面臨供需失衡的危機。
 



今年上半年,半導體市場可謂欣欣向榮。市場需求的大幅成長,不僅讓晶圓廠上半年營收表現亮麗,也造成晶圓供給呈現緊張狀態,包括台積電、聯電、三星(Samsung)、中芯國際與全球晶圓(GlobalFoundries)無不加碼擴充新產能,紓解產能緊繃情形。
 



以台積電來看,2010年第二季營收再創新高,達新台幣1,049億6,000萬元,較上一季成長14%,而與去年同期相比,營收則增加41%。其中,0.13微米及其以下先進製程的營收比重已高達72%。
 


圖1 台積電董事長兼總執行長張忠謀表示,2010年該公司在65奈米及其以下先進製程的資本支出比重將上看八成。





台積電董事長兼總執行長張忠謀(圖1)於2010年第二季法人說明會上表示,目前台積電整體產能尚處於吃緊狀態,因此,今年資本支出的主要重點是增加Fab12及Fab14兩座既有超大型晶圓廠(GigaFab)的產能,預估峻工後,每座廠產能將可達每月十五萬片晶圓,是一般晶圓廠產能的三至四倍。此外,位於台中的第三座GigaFab也已於日前開始動工。
 



據了解,台積電第二季總產能為二百七十四萬九千片8吋約當晶圓,已較第一季成長7.1%,預估第三季產能將較第二季提高7%,而第四季則比第三季微幅攀升3.5%。整體而言,2010年總產能將較去年增長14%,其中,12吋廠產能更勁揚36%,均較原先預期提高。
 


下半年需求仍強晶圓雙雄上調CAPEX
 



有鑑於下半年客戶需求仍舊相當強勁,台積電也宣布將再上調今年的資本支出(CAPEX),由原先預定的48億美元增加至59億美元,其中有約1億美元將用於發光二極體(LED)與太陽能等新事業投資。
 



張忠謀指出,自今年1月以來,客戶對今年全年及明年的需求預估均上升,因此台積電自年初開始即擴大資本支出。他強調,台積電產能擴充的計畫係根據客戶需求而定訂,絕非靠臆測而來。換言之,台積電不會先逕自擴產後,再去尋找客戶。
 



張忠謀進一步透露,用於晶圓製造廠的58億美元資本支出中,79%的比例將用於28、40及65奈米製程技術,13%將投入超越摩爾(More than Moore)的相關技術,而8%則用來購買研發用的工具與設備。
 



在LED與太陽能等新事業方面,張忠謀也寄予厚望。他指出,在太陽能方面,台積電日前已與美商Stion簽訂技術與生產供應協定,未來會將主要研發資源投入銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能技術,而先前入股茂迪,則有助台積電在進入太陽能市場的初期,獲得可靠的合作夥伴,從而縮短學習曲線,但並不會投入這方面的技術研究。至於LED的布局也大有進展,已在3月底動土興建的LED照明技術研發中心暨量產廠房,將於下半年開始進駐相關機台。
 



另一方面,聯電執行長孫世偉也對今年下半年景氣看法相當樂觀,並透露包括6吋、8吋及12吋晶圓廠產能都將持續滿載,預估下半年整體表現將可優於上半年。不僅如此,聯電也同樣宣布將上修今年的資本支出,由原先約15億美元增加至18億美元,投入65奈米及其以下製程的擴建,以滿足客戶對高階產能的需求。
 



目前,聯電位於台南科學園區的Fab12A廠第三期工程已經完成,預計年底前即可上線運作,對2011年40奈米產線的營收將大有助益。而位於新加坡的Fab12i廠,也已啟動65/55奈米製程的建置工作。
 



此外,包括全球晶圓、中芯國際和三星也都將產能擴充視為今年首要的營運重心(表1),資本支出的金額也較往年大幅提升。


表1 2010年全球主要晶圓代工業者資本支出與擴充計劃



 



先進製程客戶集中產能供需局面生變
 



值得注意的是,由於各大晶圓廠的產能擴充計畫,大多以65奈米及其以下先進製程為主,因此,相較於90與130奈米,客戶群將更趨集中,尤其在40奈米以下,有能力負擔高昂研發費用的半導體商將大幅縮減。
 


圖2 資策會MIC的資深產業分析師潘建光表示,隨著日本IDM積極走向輕資產化經營與中國大陸IC設計自製率增加,將成晶圓代工市場未來的成長主力。





資策會產業情報研究所(MIC)資深產業分析師潘建光(圖2)指出,半導體市場於今年恢復榮景,整體規模再攀新高,這股成長趨勢推動主要晶圓代工廠投入大量資本擴充產能,預估2010年包括台積電、聯電、全球晶圓和中芯國際等前四大晶圓代工業者的合計產能,將較2009年增長15~20%,而這股產能擴充的成效,將導致晶圓代工產能在2011年呈現供需失衡狀態。
 



另一方面,由於主要晶圓代工業者積極導入40奈米及其以下高階製程,將使全球晶圓代工市場版圖在2012年風貌丕變。潘建光分析,台積電、全球晶圓、三星與聯電的40奈米製程均已陸續到位,前三者更將於2011年開出28奈米產能;此外,台積電與全球晶圓更已展開20/22奈米布局。也因此,一旦產能開出,勢將使得先進製程訂單的供需關係發生轉變。舉例來說,賽靈思(Xilinx)的28奈米FPGA訂單恐將分別落到台積電與三星手中。
 



此外,日前瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布進行組織調整時也明確表示,未來28奈米技術將分別委由台積電及全球晶圓製造。顯見在先進製程世代,無晶圓廠(Fabless)IC設計公司與整合元件製造商(IDM)將傾向同時與兩家以上晶圓廠合作,以避免產品開發的風險。
 



瑞薩電子總裁Yasushi Akao在2011年會計年度第一季(截至6月30日)法說會上指出,為強化組織結構並因應市場環境的轉變,該公司將建立一個晶圓廠網路(Fab Network),並將28奈米及其以下先進製程的產品委由外部專業晶圓代工廠製造,其中,台積電與全球晶圓(GlobalFoundries)將是主要的策略合作夥伴。
 


IDM委外趨勢成形晶圓代工前景看俏
 



這種分散下單的策略,除印證先進製程的技術與資本門檻均相當高外,亦突顯IDM委外的商業模式將更趨成形。
 



事實上,由於台積電第二季營收中,由IDM委外而來的比例自第一季的23%下滑至21%,讓不少法人對於IDM委外釋單的前景有所疑慮。對此,張忠謀指出,雖然本季IDM委外的營收比重下降,但並不代表該項業務出現萎縮,而是無晶圓廠(Fabless)業務成長更為快速所致(表2)。他強調,IDM委外的趨勢將持續不衰,未來10年內,幾乎所有IDM都將轉型成為無晶圓廠或極輕晶圓廠(Fab Very Lite),其中,超越摩爾的相關技術,更是IDM委外最主要的產品領域,而台積電也已投入可觀的資本支出著手布局,因此,對於IDM委外業務的成長前景信心滿滿。





 



針對瑞薩電子同時將與全球晶圓合作28奈米技術,張忠謀則表示,在瑞薩與NEC電子尚未合併之前,台積電就與瑞薩擁有密切的合作關係,而當時NEC電子則隸屬IBM技術聯盟。未來,台積電仍將積極與瑞薩電子進行合作,對於雙方關係的進展相當樂觀。
 



潘建光分析,隨著瑞薩電子與富士通更為積極落實輕晶圓廠的發展策略,未來日本IDM對全球晶圓代工市場產值的貢獻比重將逐年增加。此外,由於中國大陸IC設計自製率已明顯提升,亦將成為推動晶圓代工市場成長的另一股重要動能。

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