東芝電子(Toshbia)近日宣布推出第九代π-MOS，全新600V平面式MOSFET系列，量產出貨於即日起啟動。
第九代π-MOS系列採用最佳化的晶片設計，與現有的第七代系列相比，其EMI雜訊峰值低5dB，但同時又保持了相同水準效率。它提供更大的設計自由度進而助於減少設計的工作量。另外，此系列具備相同的額定雪崩電流和額定直流電流，可輕鬆取代現有的MOSFET。
東芝為擴大第九代π-MOS系列之產品陣容，往後將陸續推出更多500V、 600V和650V元件，提供客戶更多產品選擇。其適合應用方面包括筆電AC變壓器及遊戲機充電器中的小型電源供應器、照明電源供應器。其產品特點包括兼具高效率及低雜訊、額定雪崩電流和直流電流相等。
