東芝推出全新功率元件「TWxxNxxxC系列」。這是其第三代碳化矽MOSFET，具有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為5種1200V和5種650V產品，已經開始出貨。
新產品將單位面積的導通電阻(RDS(ON)A)降低了約43%，使代表傳導損耗和開關損耗之間關係的重要指標漏源導通電阻*閘-漏電荷(RDS(ON)*Qgd)降低了約80%。開關損耗也減少了約20%，因而同時降低了導通電阻和開關損耗。這些新產品可提高設備效率。
東芝將繼續擴大其功率元件的產品陣容，加強其生產設施，並透過提供易於使用的高性能功率元件，實現無碳經濟。
