台灣專業碳化矽(SiC)長晶技術廠商格棋化合物半導體，將於SEMICON Taiwan 2025展出最新的大尺寸SiC材料解決方案，聚焦晶體缺陷密度與結構完整性的突破，以回應業界對高可靠度、高一致性SiC晶圓日益升高的需求。本次將展示格棋最新製造成果，包括原始粉體、8吋導電與半絕緣晶棒與晶圓，體現其從原料到晶圓的垂直整合能力，亦為SiC材料應用從實驗走向量產的關鍵里程碑。
隨著電動車、高頻通訊與衛星應用的擴張，8吋SiC晶圓成為新一代功率元件的材料核心。然而，「尺寸放大」本身並非技術終點，更嚴峻的挑戰是晶體缺陷控制。格棋針對常見的微管、堆疊錯位、基底位錯等問題，已建構出一套跨越熱場設計、碳比控制、雜質抑制到結晶動態調控的製程策略，有效將缺陷密度壓低至10²/cm²以下，大幅提升晶圓可用率與客戶加工良率。
此次展出的五項實體成果，涵蓋高純度粉體、8吋半絕緣與導電型晶棒及晶圓，展現格棋可從原料端控制碳矽比例與熱流均勻性，進而降低晶體內部壓力與多晶型生成率。不論是用於雷達與微波通訊的高頻元件，或車用主驅動模組與能源逆變器，格棋均能提供可驗證、可交付的材料方案，協助客戶更快進入新產品認證流程。
在全球8吋SiC晶圓仍多停留於實驗產線階段之際，格棋已具備6吋SiC晶圓穩定量產能力，並完成8吋晶棒與晶圓的製程實證，成為台灣少數真正跨越技術門檻的新創。透過整合日本與台灣長晶模組技術，格棋建立了一套高重現性製程平台，確保晶體成長過程中的結構穩定性與應力釋放曲線。
值得注意的是，格棋在8吋導電型晶圓的成長穩定性已逐步接近試量產標準，將可支援車用功率模組、工業電源與儲能系統的高壓高流需求。另一方面，8吋半絕緣型晶圓則聚焦於雷達、射頻與航太通訊等具備訊號精度與散熱挑戰的高階應用場景，是目前市場最難取得的高附加價值材料之一。
此次展會另一大亮點，為格棋業務處長吳義章博士榮獲SEMI Taiwan主辦之「20 Under 40半導體新銳獎」，表彰其在第三類半導體材料產業推動上的技術深耕與市場落地表現。吳博士不僅於創業早期即參與公司技術規劃與客戶驗證，同時也是「可交付材料文化」的重要推手，促使格棋團隊在短時間內完成從研發導向到客戶認證的快速轉換。
在產業鏈面臨重構、客戶對材料供應商信任機制高度挑剔的當下，格棋所主張的「晶圓品質就是品牌信任」策略逐步顯現成果，也讓吳博士的入選成為本屆SEMI新銳獎中極具材料代表性的案例之一。
全球第三類半導體供應鏈正在重組：歐洲強化本地製造能力、中國以價格策略大舉搶市、美國祭出IRA補助強化戰略材料自製率，台灣若欲持續扮演關鍵供應角色，勢必須從代工視角，轉向材料供應鏈的主體地位。
格棋作為材料起家的技術型新創，透過持續推進可量產、可驗證、可信賴的SiC製造體系，正逐步建立屬於台灣的技術護城河。SEMICON Taiwan 2025，將是格棋向全球展示其「低缺陷、高交付、在地製造」的新世代材料實力的重要舞台。
