檢測大電流、低電壓MOSFET故障機制 比較平面型與凹槽式架構

作者: G.Baz / G.Consentino
2005 年 03 月 02 日
目前一些設計,都需要在線性模型中使用MOSFET,不過,卻沒有詳細的datasheet提供特性描述;另外,現代設備的設計也出現向降低導通電阻的趨勢,以及以降低正向偏置安全工作區域為代價的大電流容量發展方向。因此,本文將比較並討論不同MOSFET架構的實驗結構...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

照明應用不是夢 工研院AC LED技術揭密

2005 年 04 月 29 日

共用模組優化資源配置 嵌入式系統效能邁大步

2010 年 09 月 20 日

防止熱失控損壞系統 二級保護元件安全把關

2011 年 12 月 19 日

材料與製程挑戰有解 可撓式AMOLED商用可期

2013 年 02 月 04 日

軟性電子前景可期 新興材料群雄並起

2017 年 10 月 30 日

優化熱量管理/電感量測效率 VCSEL光脈衝測試精準到位

2020 年 09 月 03 日
前一篇
鉅景推出多項複合式記憶體
下一篇
寬頻接取版圖重分配 WiMAX後發先至