檢測10奈米以下半導體 CD-SEM量測技術邁大步

作者: Ofer Adan
2014 年 08 月 18 日
半導體進入10奈米以下技術節點或三維(3D)結構時,將面臨嚴重的導孔偏移問題,所幸,設備商已研發出具備更高影像解析能力的微距量測掃描式電子顯微鏡(CD-SEM),可提供更清晰的對焦和更精細的量測影像,有效克服導孔對準挑戰。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

介紹雜訊指數定義與量測方法 Y因素與冷雜訊為常見量測技術

2005 年 03 月 03 日

採用最佳化MOSFET元件 展現直流匯流排轉換器的優點

2005 年 03 月 29 日

借力低成本FPGA串列功能 雙影像感測器設計挑戰有解

2012 年 07 月 14 日

PC-Based系統即時性提升 設備自動化運動控制有斬獲

2018 年 07 月 30 日

供電/高速傳輸面面俱到 Type-C雙向席捲新應用場域

2020 年 10 月 19 日

智慧放大器再造筆電音質(2)

2023 年 05 月 26 日
前一篇
善用反動電勢電壓掌握轉子方位 無感測BLDC設計更Easy
下一篇
宜特AE聲發射測試可預防高頻PCB焊盤坑裂