氮化鎵功率元件前景可期 關鍵製程必須更精密

2020 年 12 月 02 日
氮化鎵材料在功率元件滲透率,將在未來幾年迅速成長。為滿足市場需求,製造商必須在關鍵製程步驟採用更精密的技術。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

矽材料已近物理極限急尋接班 寬能隙GaN表現優異可望出線

2019 年 03 月 28 日

取代傳統矽基元件 SiC力助車載充電器高效運行

2022 年 03 月 24 日

IGBT實現可靠高功率應用

2023 年 04 月 21 日

SiC/GaN最佳化傳動系統效率 實現EV節能設計(1)

2024 年 02 月 02 日

TEM分析穩固GaN元件功能 掌握差排晶體缺陷(2)

2024 年 02 月 02 日

寬能隙電晶體帶來雙重優勢 電動車OBC效能更上層樓(2)

2024 年 03 月 21 日
前一篇
新能源車市持續拉升 2021年成長率可望達39.7%
下一篇
行動/穿戴式裝置帶動WLCSP需求 Fan-in仍有一席之地