溝槽式設計顯神威 SiC MOSFET效能/耐用度大增

2018 年 09 月 27 日
以SiC MOSFET為基礎的電源開關,在功率密度、效率及冷卻方面具有顯著系統效益,這是因為損耗遠低於Si-IGBT。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

打通NAS/AS基地台管理環節 LTE用戶端系統運行無阻

2011 年 08 月 08 日

提升行動裝置附加價值 懸浮觸控潛力「浮」現

2012 年 07 月 02 日

電源轉換器效率、尺寸要求日增 同步整流架構躍升設計主流

2013 年 05 月 18 日

高效能寬頻元件突破多功能挑戰 航太/國防系統再進化

2015 年 11 月 14 日

借力超接合面MOSFET 電機驅動應用功率轉換效能增

2018 年 08 月 23 日

可插拔光學模組功率攀升 熱管理技術與時俱進

2024 年 07 月 01 日
前一篇
揮軍臉部辨識市場 歐司朗首款VCSEL產品亮相
下一篇
ST GNSS模組採用Teseo晶片