瑞薩低功率損耗IGBT提升空調電源效率

2015 年 12 月 15 日

瑞薩(Renesas)宣布推出新款適用於空調功率因數校正(PFC)電路的功率半導體裝置–RJP65T54DPM-E0。現代的空調必須符合高效率及開關噪音抑制標準,新產品該公司第7代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)的擴充,以1.35V低飽和電壓(Vce (sat))與低開關噪音實現電源效率,並採用中低階空調廣為使用的部分開關。


新推出的產品以該公司第7代IGBT技術為基礎,並運用該公司的薄型晶圓技術,針對空調PFC電路進行最佳化,同時具備1.35 V Vce (sat),可為PFC電路帶來較低的傳導損耗。


該產品特性還包括:具有較小的開關噪音,可減少電磁干擾(EMI)並簡化EMI過濾;採用隔離型全模製封裝,裝置與散熱片之間無須使用絕緣片。另外,該產品額定最高達Tj=175°C,可提高操作溫度範圍。除了新款IGBT裝置之外,該公司目前有三款運用第7代技術進行生產的IGBT裝置,皆適用於完全開關的PFC電路。


瑞薩網址:www.tw.renesas.com

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