瑞薩(Renesas)發表採用6毫米×6毫米小型化封裝之R2J20651NP整合驅動器金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。R2J20651NP是針對個人電腦(PC)及伺服器之中央處理器(CPU)與雙倍資料速率(DDR)類型SDRAM電源供應所設計的，並可達到最高的96.5%供電效率。R2J20651NP符合英特爾(Intel)所制訂之「Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)」 Revision 3.0規格，其中規定封裝尺寸為6毫米×6毫米。R2J20651NP在單一封裝中整合兩個High-side/Low-side MOSFET及一個驅動器IC。
此產品採用瑞薩最新的第十代功率MOSFET，其具有優異的效能及更低的損耗，因此可達到最高的電源供應效率。例如，在桌上型電腦的DDR類型SRAM所使用之DC-DC轉換器中，將5伏特輸入電壓轉換為1.8伏特時，R2J20651NP可達到業界最高的96.5%電源供應效率，並有助於降低耗電量。本產品由於發熱量較低，可使用較小的散熱裝置，同時可減少電容器及其他被動元件的使用量，因此可縮小最終產品設計的尺寸。
由於瑞薩採用高散熱、低損耗之封裝技術，以及瑞薩第十代MOSFET產品，因此可達到6 mm x 6 mm的小型化40-pin QFN封裝。相較於瑞薩原有的8 mm x 8 mm封裝尺寸，R2J20651NP約可將安裝面積縮小二分之一。另外，由於它可最小可因應35A的 輸出電流，因此可輕易使用於高電流密度的DC-DC轉換器。
在符合DrMOS標準的產品中，R2J20651NP是第一個在驅動器IC中內含溫度偵測功能的產品，當驅動器IC的溫度超過130°C時，可輸出溫度過高的訊號。此訊號可依據應用目的之需求來運用，例如，讓系統電源供應控制IC接收此訊號，並且關閉系統。另外，亦可建置更安全的電源供應系統，因為讓電源裝置自行監控其溫度與發熱量，即可偵測不正常的模式與過度負載的狀態。
瑞薩網址：www.renesas.com
