瑞薩與Grandis共同合作發展採用自旋轉移65nm MRAM

2005 年 12 月 13 日

瑞薩科技(Renesas)與Grandis, Inc.共同開發採用自旋轉移寫入技術的65nm處理磁性隨機記憶體(MRAM)。瑞薩將在不久的未來,開始出貨採用65 nm製程STT-RAM 的微控制器和SoC產品。
 

MRAM使用磁性物質作為記憶格。這是一種隨機的存取記憶體類型,可根據磁性取向來儲存資料。自旋轉移寫入技術,為一排列通過穿隧磁阻(TMR)元件電子的旋轉方向,來進行資料寫入的科技。而傳統磁場資料寫入技術,是由電流通過靠近TMR元件電線的技術。資料寫入是藉由使用由電線產生的磁場,來改變磁性取向而執行。
 

瑞薩網址:www.tw.renesas.com
 

標籤
相關文章

德州儀器發表低耗電電壓回授型高速放大器

2008 年 04 月 17 日

九暘電子採用益華電腦Incisive驗證方案

2009 年 11 月 30 日

微星採用太克高速串列標準發射器/接收器測試

2012 年 05 月 10 日

雅特生新Config Pro配置工具簡化設計流程

2015 年 10 月 20 日

Celeno入選海爾集團TechLink挑戰賽總決賽

2021 年 01 月 15 日

Reflex Drive選擇英飛凌半導體提升無人機馬達控制效率

2025 年 07 月 08 日
前一篇
飛思卡爾功率管理晶片為行動裝置注入一劑強心針
下一篇
價跌量漲利多不斷 四大明星產業全面成長