瑞薩電子(Renesas)宣布推出兩款全新系列的進階低功率SRAM–RMLV1616A/RMWV3216A，為目前最主要的低功耗SRAM類型，其設計可提供更高的可靠性及更長的備份電池使用壽命，適用於工廠自動化(FA)、工業設備及智慧電網等應用。
新款RMLV1616A系列16 Mb裝置採用110奈米(nm)製程，RMWV3216A系列32 Mb裝置採用創新的記憶體單元技術，可大幅提升可靠性並有助於提供更長的電池運作時間。
此外，透過該公司獨特的進階低功率SRAM技術，可提高軟體錯誤耐受性與可靠性，使得軟體錯誤耐受性為傳統全CMOS記憶體單元的500倍以上。因此非常適合用於需要高可靠性的領域，包括FA、測量裝置、智慧電網相關裝置及工業設備，以及其他許多領域，例如消費性裝置、辦公室設備及通訊裝置。
新款RMLV1616A系列與RMWV3216A系列主要功能還可將待機電流降低至舊有產品的二分之一以下以延長備份電池使用壽命。新產品的16 Mb裝置待機電流僅0.5微安培(μA) (典型值)，32 Mb裝置則為1μA (典型值)，可延長備份電池的使用壽命。
瑞薩網址：www.tw.renesas.com
