瑞薩電子今天推出三款高壓650V GaN FETs，適用於AI資料中心及採用新款800V HVDC架構的伺服器電源、電動車充電器、UPS備用電池設備、電池儲能裝置和太陽能逆變器。這些Gen IV Plus元件專為一千瓦以上的應用而設計，將高效能GaN技術與矽相容的閘極驅動輸入相結合，顯著降低了切換功率損耗，同時保留矽FETs的操作簡便性。該元件提供TOLT、TO-247和TOLL封裝選項，使工程師能夠靈活地針對特定電源架構，客製化熱管理和PCB設計。
新款TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS元件採用了SuperGaN平台，這是由Transphorm推出的經過驗證且穩定可靠的耗盡型(d-mode)常關型架構。基於低損耗d-mode技術，這些元件的效率優於矽、碳化矽(SiC)和其他GaN產品。此外，透過更低的閘極電荷、輸出電容、交叉損耗和動態電阻影響，來最大限度地減少功率損耗，並具有更高的4V閾值電壓，這是目前增強模式(e-mode)GaN裝置無法實現的。
新款Gen IV Plus產品晶片比上一代Gen IV平台小14%，實現了30毫歐(mΩ)的較低RDS(on)，導通電阻降低了14%，並藉由降低導通電阻和輸出電容積使品質因數(FOM)提高了20%。更小的晶片尺寸減少系統成本，並降低輸出電容，進而提高效率和功率密度。這些優勢使Gen IV Plus元件適合注重成本、對散熱要求高的應用設計，在這些應用中高效能、高效率和小尺寸都是至關重要的。也可與現有設計完全相容，輕鬆升級，同時保留之前的工程投入時間。
另外，提供廣泛使用的緊湊型TOLT、TO-247和TOLL封裝，以最佳化熱性能和布局，適用於1kW至10kW，甚至是更高功率的系統(可由並聯達成)。新的封裝包括底部(TOLL)和頂部(TOLT)熱傳導路徑，用於降低外殼溫度，當需要更高的導通電流時，可以更容易地進行元件並聯。此外，常用的TO-247封裝為客戶提供了更高的散熱能力，進而實現更高的功率。
Primit Parikh, GaN業務部副總裁表示：「Gen IV Plus GaN元件的推出是瑞薩自去年收購Transphorm以來的第一個重大新產品里程碑。未來將把經過實際驗證的SuperGaN技術與我們的驅動器和控制器相結合，提供完整的電源解決方案。無論是作為獨立FETs，還是與瑞薩的控制器或驅動器整合到完整的系統解決方案設計中，這些元件都將為設計出功率密度更高、占用空間更小、效率更高且整體架構成本更低的產品提供清晰的路徑。」
瑞薩的新款元件採用整合式低壓矽MOSFET，這種獨特的配置可實現無縫常關操作，同時充分利用高壓GaN的低損耗、高效率切換優勢。由於使用矽FETs作為輸入級，SuperGaN FETs很容易透過現有的標準閘極驅動器來驅動，這種相容性簡化了設計並降低系統開發人員採用GaN的門檻。
基於GaN的開關元件正在迅速發展成為新一代功率半導體的關鍵技術，受電動車、逆變器、AI資料中心伺服器、再生能源和工業電力轉換的需求推動。與SiC和矽基底半導體開關元件相比，GaN元件具有更高的效率、更高的切換頻率和更小的占用空間。
瑞薩在GaN市場提供高功率和低功率GaN FETs應用，滿足更廣泛的應用和客戶需求。迄今為止，瑞薩已為高功率和低功率應用交付了超過2,000萬顆GaN元件，實際使用時間超過3,000億小時。
TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS現已上市，同時還有4.2kW圖騰柱PFC GaN評估平台。
