盛美半導體設備今日宣布對其Ultra C wb濕法清洗設備進行了重大升級。此次全新升級旨在滿足先進節點製造工藝的苛刻技術要求。
升級後的Ultra C wb採用了專利申請中的氮氣(N2)鼓泡技術，有效解決了濕法刻蝕均勻性差和副產物二次沉積問題。在先進節點製造工藝中，這些問題常見於高深寬比溝槽和通孔結構的傳統濕法清洗工藝。氮氣鼓泡技術不但提升了化學藥液傳輸效率，而且提高了濕法刻蝕槽內溫度、濃度和流速的均勻性。濕法刻蝕過程中品質傳遞效率的提高可防止副產物在晶圓微結構內積聚，從而避免二次沉積。這項技術在500層以上的3D NAND，3D DRAM，3D邏輯元件中有巨大的應用前景。
盛美半導體設備董事長王暉博士表示：“性能提升始終是首要的追求，通過專利申請中的集成氮氣鼓泡技術，盛美提升了Ultra C wb設備的工藝性能”。“批量處理工藝始終是濕法加工領域的關鍵環節，與單晶圓濕法清洗相比，其在成本效益、生產效率及化學品消耗方面具有顯著優勢。”
升級後的Ultra C wb設備已通過中國大陸某頭部晶圓廠的工藝驗證，並已獲得多筆重複訂單。目前多家客戶正在評估該設備，盛美預計將在今年年底前交付更多設備。
升級後的Ultra C wb設備具有以下全新特性與優勢：
提升蝕刻均勻性：相較於傳統的槽式濕法清洗設備，Ultra C wb平台配備了氮氣鼓泡技術，將晶圓內以及晶圓間的濕法刻蝕均勻性提高了50%以上。
提高顆粒去除性能：在先進節點工藝中，Ultra C wb平台的卓越清洗能力已被證明能夠高效去除化學藥液添加劑的有機殘留物。
擴展工藝能力：升級後的清洗模組已通過三道先進節點工藝驗證，包括：疊層氮化矽蝕刻、溝道孔多晶矽蝕刻以及柵極線鎢蝕刻，可搭配多種化學藥液使用。
自主知識產權設計：氮氣鼓泡核心組件與技術均受自主知識產權保護。專利申請中的氮氣鼓泡設計可生成均勻分布的大尺寸氣泡，且氣泡密度精准可控。該專利申請的氮氣鼓泡核心技術可以應用在盛美的Ultra C Tahoe(單片槽式組合清洗設備)平台上，更好地解決客戶未來的工藝需求。
