英飛凌與羅姆簽署合作備忘錄，針對特定碳化矽(SiC)半導體產品，雙方將互為第二來源供應商。
未來，客戶將能輕鬆以英飛凌或羅姆的相關產品相互替換，進一步提升設計與採購的靈活性。這類產品能提高汽車車載充電器、再生能源及AI資料中心等應用場景中的功率密度。
雙方將在碳化矽(SiC)功率半導體的封裝領域展開合作，應用範疇涵蓋車載充電器、太陽能發電、儲能系統及AI資料中心等。雙方將就特定的SiC功率元件封裝合作，互為彼此的第二來源供應商，進一步提升客戶在設計與採購上的靈活性。未來，客戶可同時從英飛凌與羅姆取得封裝相容的產品，這項合作將確保這些元件在封裝相容性與互換性上的無縫銜接，以滿足不同客戶的特定需求。
英飛凌零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer表示：「我們很高興能夠透過與羅姆的合作進一步加速碳化矽功率元件的普及。此次合作將為客戶在設計和採購流程中提供更豐富的選擇與更大的靈活性，同時還有助於開發出能夠推動低碳進程的高能效應用方案。」
羅姆常務執行董事、功率元件事業部負責人伊野和英表示：「羅姆的使命是為客戶提供最佳解決方案。與英飛凌的合作將有助於拓展我們的解決方案組合，同時也是實現這一目標的重要一步。我們期待透過此次合作，能夠在推進協同創新的同時降低複雜性，進一步提升客戶滿意度，共同開拓電力電子行業的未來。」
作為此次合作的一部分，羅姆將採用英飛凌創新的SiC頂部散熱平台(包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封裝)。該平台將所有封裝統一為2.3 mm的標準化高度，不僅簡化設計流程、降低散熱系統成本，更能有效利用基板空間，功率密度提升幅度最高可達兩倍。
同時，英飛凌將採用羅姆的半橋結構SiC模組DOT-247，並開發相容封裝。這將使英飛凌新發布的Double TO-247 IGBT產品組合新增SiC半橋解決方案。羅姆先進的DOT-247封裝相比傳統離散元件封裝，可實現更高功率密度與設計自由度。其採用將兩個TO-247封裝連接的獨特結構，較TO-247封裝降低約15%的熱阻和50%的電感。憑藉這些特性，該封裝的功率密度達到TO-247封裝的2.3倍。
英飛凌與羅姆計劃未來將擴大合作範疇，涵蓋更多封裝形式，並囊括矽(Si)及寬能隙功率技術，例如碳化矽與氮化鎵(GaN)。此舉將進一步深化雙方的合作關係，並為客戶提供更加多元的解決方案及採購選擇。
SiC功率元件透過更高效的電力轉換，不僅增強了高功率應用的性能表現，在嚴苛環境下展現出卓越的可靠性與堅固性，同時還使更加小型化的設計成為可能。借助英飛凌與羅姆的SiC功率元件，客戶可為電動汽車充電、再生能源系統、AI資料中心等應用開發高能效解決方案，實現更高功率密度。
