英飛凌科技和Panasonic公司已針對共同開發及生產第二代(Gen2)氮化鎵(GaN)技術簽訂合約，基於已獲認可接受的GaN技術，Gen2技術將提供更高效率和功率密度水準。Gen2技術以 8 吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)晶圓生產的能力，凸顯出英飛凌在需求日益增長的GaN功率半導體領域的策略性拓展。為了因應市場需求，Gen2 將會開發為 650 V GaN HEMT。該裝置具備易使用性和更高的性價比，主要應用包括高功率與低功率的SMPS應用、再生能源、馬達驅動等。
對許多設計而言，氮化鎵(GaN)可提供比矽更多的基礎優勢。與矽MOSFET相比，GaN HEMT具備出色的特定動態導通電阻和較小的電容，因此符合高速切換的要求。能達到省電、系統總成本降低、可在較高頻率下操作、提高功率密度和整體系統效率等效益。
英飛凌電源與感測系統事業部總裁 Andreas Urschitz 表示，除了具備與第 1 代相同的高可靠性標準外，由於改採8吋晶圓製造，第 1 代裝置(英飛凌 CoolGaN 和 Panasonic X-GaN)，和第二代裝置將會以常關型矽基氮化鎵(GaN-on-silicon)電晶體結構為基礎，在此基礎上結合混合汲極嵌入式閘極以電晶體(HD-GIT)穩固性，成為解決方案之一。
Panasonic 工業解決方案公司工程部門副總監 Tetsuzo Ueda 表示，和英飛凌在GaN元件方面繼續合作，將透過最新創新發展，供應第 1 代和第 2 代裝置。
