茂矽電子與富鼎先進將合作開發電動車(EV)高功率絕緣閘雙極型電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)元件。茂矽電子與富鼎先進聯合申請的「綠能車用高功率IGBT元件技術開發計畫」日前獲經濟部「業界科專計畫」審議通過，未來茂矽電子、富鼎先進將與工研院電光所進一步合作，透過雷射退火(Laser Anneal)製程開發適用於電動車的高功率IGBT，防堵中國大陸業者一波波的IGBT發展攻勢。
茂矽電子副總經理周崇勳表示，高功率IGBT是電動車馬達系統的關鍵元件及能量耗損之處，一旦馬達系統效率提升，將能帶動電動車速度、降低散熱系統需求並提高電池續航力，因此，富鼎先進與茂矽電子分別針對高功率IGBT設計與晶圓代工提出「綠能車用高功率IGBT元件技術開發計畫」，未來該計畫將利用工研院雷射退火製程技術的回火製程，期能大幅降低IGBT製造成本並得到較高的良率，並改善台灣電動車關鍵零組件多得向英飛凌(Infineon)、意法半導體(ST)等國外大廠購買的情形。
據了解，綠能車用高功率IGBT元件技術開發計畫為期2年，2013年起，富鼎先進將會針對高功率IGBT元件進行設計模擬(Simulation)，而茂矽電子則積極提升晶圓薄化技術能量，以降低晶圓導通電阻。未來，高功率IGBT元件由茂矽電子封裝後，將交由工研院電光所組裝至馬達模組並進行驗證。
周崇勳指出，茂矽電子將使用該公司位於竹科的6吋晶圓廠生產電動車高功率IGBT元件。若該元件順利研發成功，未來相關技術與經驗，亦可轉移至製造太陽能逆變器、冰箱變頻器等IGBT元件上。
事實上，高功率IGBT元件成本居高不下，因而讓各國業者想要火速加快電動車IGBT元件自製化步調。以中國大陸為例，高功率IGBT元件在十二五計畫當中為重點開發項目，政府大力補助IGBT元件開發計畫，因此，中國大陸內部多家廠商正戮力研發製程。例如知名電動車商比亞迪收購IGBT生產商中緯，利用中緯的6吋晶圓廠生產電動車高功率IGBT，並已陸續發布相關產品。
周崇勳指出，本次由茂矽與富鼎先進、工研院的合作計畫在國際競爭上仍具價格競爭力。計畫中主要的雷射退火製程的機台成本相較於他國版本，台廠至少可以一半價格製造，因為台灣廠商已具備該製程機台的零組件技術，所以，高功率IGBT元件製程成本大幅降低將是台廠的一大優勢。
展望未來電動車市場，周崇勳認為全球市場情況仍不明朗，尚未見到終端市場需求起飛之勢。儘管如此，各元件廠仍看好電動車市場未來發展潛力，並加足火力持續研發電動車關鍵零組件，以跨越高技術門檻並提高自製程度，期在未來電動車商機爆發時，能一舉在市場裡圈地。
