茂矽攜手富鼎先進 開發電動車高功率IGBT

茂矽電子與富鼎先進將合作開發電動車(EV)高功率絕緣閘雙極型電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)元件。茂矽電子與富鼎先進聯合申請的「綠能車用高功率IGBT元件技術開發計畫」日前獲經濟部「業界科專計畫」審議通過,未來茂矽電子、富鼎先進將與工研院電光所進一步合作,透過雷射退火(Laser...
2013 年 01 月 10 日