蝕刻時間/缺陷率呈正函數關係 SiC晶圓表面處理時間要抓緊

2016 年 08 月 25 日
碳化矽(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但儘管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進,這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實,晶圓襯底的表面處理時間越長,則表面缺陷率也會跟著增加。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

具備一對多傳輸優勢 eMBMS提升LTE網路利用率

2012 年 08 月 18 日

效率/成本迭有突破 GaN on GaN LED嶄露鋒芒

2013 年 11 月 04 日

數位/類比整合型MCU助力 血糖機降低血球干擾

2018 年 10 月 22 日

鐵路系統拓展高頻寬連線 無線通訊助攻乘客體驗

2021 年 03 月 02 日

HBM實現全方位AI DRAM堆疊更上層樓

2024 年 04 月 19 日

掌握開普勒問題與軌道元素/ECI坐標系轉換 輕鬆推算低軌衛星正確位置(1)

2024 年 04 月 25 日
前一篇
搶食IIoT大餅 Wind River鎖定四大應用領域
下一篇
R&S開發全新示波器觸發/解碼軟體