被動式溫度補償技術助攻 矽振盪器頻率漂移疑慮盡消

作者: Baljit Chandhoke
2012 年 05 月 17 日
CMOS振盪器頻率漂移問題有解。CMOS振盪器開發商已發展出被動式溫度補償技術,能透過加入耗損電容值來消除因線圈所造成的頻率漂移,讓CMOS振盪器在-20~70℃間的各種運作狀況下,達成全面的頻率穩定性。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

關掉電源也能顯示 膽固醇液晶輕薄省電

2005 年 01 月 26 日

兼顧節能/健康 OLED問鼎最佳照明光源

2010 年 09 月 02 日

提升行動裝置附加價值 懸浮觸控潛力「浮」現

2012 年 07 月 02 日

實現HD/3D/WDR成像功能 CMOS鏡頭革新IP監控系統

2012 年 07 月 05 日

高效能寬頻元件突破多功能挑戰 航太/國防系統再進化

2015 年 11 月 14 日

液冷技術帶來諸多挑戰 多物理模擬助力解難題(2)

2024 年 07 月 01 日
前一篇
優化處理器閒置功耗 英特爾全面導入S0ix功能
下一篇
讓SSD效能完全發揮 PCIe新規範現身