被動式溫度補償技術助攻 矽振盪器頻率漂移疑慮盡消

作者: Baljit Chandhoke
2012 年 05 月 17 日
CMOS振盪器頻率漂移問題有解。CMOS振盪器開發商已發展出被動式溫度補償技術,能透過加入耗損電容值來消除因線圈所造成的頻率漂移,讓CMOS振盪器在-20~70℃間的各種運作狀況下,達成全面的頻率穩定性。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

扭轉電子產品低價化趨勢 獨家材料研發起步走

2006 年 06 月 21 日

技術曲線提高整合性空間 FPGA有助微處理器跟上潮流

2008 年 10 月 30 日

DRX省電機制加持 LTE用電管理拚效益

2010 年 11 月 22 日

FOC效率提升控制技巧 無電刷直流馬達再升級

2010 年 11 月 25 日

確保化學品輸送潔淨度 減少污染範圍是首要任務

2019 年 01 月 12 日

L1/L5雙頻接收器與天線建功 GNSS力助通訊網路時序準確

2023 年 08 月 11 日
前一篇
優化處理器閒置功耗 英特爾全面導入S0ix功能
下一篇
讓SSD效能完全發揮 PCIe新規範現身