賽普拉斯推出業界首款採用65奈米線寬的Quad Data Rate(QDR)與Double Data Rate(DDR) SRAM元件。此新款72Mbit QDRII、QDRII+、DDRII及DDRII+ 記憶體，採用與晶圓代工夥伴聯華電子合作開發的製程技術。
新款SRAM具備目前業界最快550 MHz的時脈速度及輸入輸出(I/O)寬度36位元總資料傳輸率達80Gbit/s的QDRII+元件，所用功耗僅需90奈米SRAM一半，適合用在各種網路應用，包括網際網路核心與邊緣路由器、固定式與模組化乙太網路交換器、3G基地台和安全路由器，並能提升醫學成像與軍用訊號處理系統的效能。新款元件與90奈米SRAM接腳相容，讓網路產業的顧客在提高產品效能與增加連結埠密度同時，仍可維持相同的機板配置。
相較於先前的90奈米元件，65奈米QDR與DDR SRAM可降低高達60%的輸入與輸出電容。QDRII+與DDRII+元件有內建訊號終端電阻(ODT)，可藉由省去外部終端電阻，以提高訊號完整性、降低系統成本、及節省電路板空間。65奈米元件採用鎖相迴路(PLL)，而不是延遲鎖相迴路(DLL)，可加寬35%的資料驗證窗口，以協助客戶縮短研發時間並降低成本。
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