金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)製程再進化。英飛凌(Infineon)日前成為全球首家以12吋薄晶圓技術製造車用功率MOSFET的廠商，該公司推出的首款OptiMOS 5 40V產品系列能針對減碳排放的應用進行最佳化。
英飛凌汽車電子事業處總裁Jochen Hanebeck表示，透過以12吋薄晶圓技術製造汽車功率MOSFET，英飛凌可用具競爭力的價格，量產高效能的汽車功率MOSFET；該公司的12吋生產線具有安全供應鏈和長遠的生產藍圖，使得汽車客戶能從中受惠。
據了解，英飛凌先進的12吋薄晶圓技術是提升新一代汽車功率MOSFET產品效能的關鍵；藉由薄晶圓技術，能夠將功率耗損降到最低，更能達成MOSFET的微型設計，提升其高系統效率和功率密度。
相較於前一代OptiMOS，OptiMOS 5 40V產品減少了40%的導通電阻(RDS(on))，還能大幅降低功率損耗；除此之外，此代產品的優值係數RDS(on)xQg減少35%，因此能最佳化切換特性。
由於OptiMOS 5 40V產品具有高功率密度和能源效率，因此可支援多種汽車BLDC和H型橋式驅動應用，如電動窗、車門控制、天窗、燃油幫浦，以及閥門控制和快速切換直流對直流(DC-DC)轉換器。
尺寸方面，12吋薄晶圓的厚度僅60µm(0.06mm)，比一張厚度約為110µm(0.11mm)的標準書寫紙還薄，因而讓採用該技術的OptiMOS 5功率半導體成為業界最薄的產品。
據悉，英飛凌OptiMOS 5薄晶圓產品組合的首款產品為40V版本，該產品採用S308封裝(TSDSON-8)，尺寸僅3.3毫米(mm)×3.3毫米，並由英飛凌位於奧地利菲拉赫(Villach)的晶圓廠製造。
另一方面，由於12吋晶圓的直徑比標準8吋晶圓長50%，因此每片12吋晶圓所生產的晶片數可達後者的二點五倍。
