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先馳得點 三星14奈米行動處理器正式量產

文‧廖昱如 發布日期:2015/02/25 關鍵字:三星FinFETExynos 714nm

三星(Samsung)在14奈米製程的量產進展搶得先機。三星日前推出一款全新的行動處理器--Exynos 7,該處理器採用14奈米(nm)FinFET架構製程,已正式邁向量產。

三星電子執行副總裁Gabsoo Han表示,三星所開發的14奈米FinFET製程技術是業界先進的邏輯晶片製程技術;三星期望未來透過生產14奈米應用處理器,能進一步強化智慧型手機的性能,並使行動通訊產值快速增長。

據悉,相較20奈米架構設計而成的舊款處理器,這款全新處理器--Exynos 7的性能將增強20%,更重要的是耗電量降低35%,可有效提升手機電池的續航力。此外,三星表示由於該公司採用三維鰭式電晶體(3D FinFET)的架構,因此成功克服20奈米處理器平面結構所帶來的性能與體積限制。

據了解,三星新款Exynos 7八核心處理器將率先採用14奈米FinFET製程,未來會擴展應用至其他產品。

記憶體方面,三星近期已成功量產3D垂直(Vertical)NAND快閃記憶體,該3D V-NAND快閃記憶體係三星戮力克服半導體技術限制後的成果。隨著三星FinFET製程技術演進,三星邏輯晶片與記憶體規格將持續翻新,可望進一步鞏固該公司在半導體市場的地位。

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