SiC MOSFET優勢顯著　車用/馬達電源效率一日千里

隨著傳統矽基MOSFET技術日趨成熟，其正接近性能的理論的極限。寬頻隙半導體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關注度很高的替代技術。商用矽基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是切換電源的主要功率處理控制元件，被廣泛用於電源、馬達驅動等電路設計。

不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產品整體性能的改善，特別是大幅降低的導通電阻和切換損耗，這些半導體切換的應用範圍越來越廣，其導致市場對矽基MOSFET和IGBT的期望越來越高，且對性能的要求亦隨之提升。

儘管主要的半導體研發機構和廠商下大力氣滿足市場要求，並進一步改進MOSFET/IGBT產品，但在某些時候，收益遞減法則占主導。幾年來，儘管大幅度付出投入，但成效收穫甚微。技術和產品最終發展到一個付出與收穫不成正比的階段，並不罕見，這是在為新的顛覆性方法和新產品問世奠定基礎。