SiC MOSFET優勢顯著 車用/馬達電源效率一日千里

作者: Jeffrey Fedison
2019 年 12 月 05 日
隨著傳統矽基MOSFET技術日趨成熟,其正接近性能的理論的極限。寬頻隙半導體的電、熱和機械特性更好,能夠提高MOSFET的性能,是一項關注度很高的替代技術。商用矽基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是切換電源的主要功率處理控制元件,被廣泛用於電源、馬達驅動等電路設計。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

利用簡易式感測按鍵 模擬防水電容式感測技術

2007 年 06 月 29 日

降低PV電池成本迫在眉睫 雙層電極印刷術伸援手

2011 年 11 月 10 日

多核心微控制器添臂力 汽車網域控制器整合度升級

2013 年 01 月 21 日

CATR抓得住毫米波訊號 5G OTA測試/校準真穩當

2019 年 07 月 21 日

車用功率MOSFET遇散熱挑戰 頂部散熱強化熱管理

2023 年 04 月 09 日

Z-Wave安全系統嚴防駭客(1)

2023 年 04 月 25 日
前一篇
ADI推出高整合寬頻RF收發器簡化應用設計
下一篇
加快智慧製造在台實現 IBM打造智慧製造生態圈