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SiC MOSFET優勢顯著 車用/馬達電源效率一日千里

文‧Jeffrey Fedison 發布日期:2019/12/05

隨著傳統矽基MOSFET技術日趨成熟,其正接近性能的理論的極限。寬頻隙半導體的電、熱和機械特性更好,能夠提高MOSFET的性能,是一項關注度很高的替代技術。商用矽基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是切換電源的主要功率處理控制元件,被廣泛用於電源、馬達驅動等電路設計。

不過,這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產品整體性能的改善,特別是大幅降低的導通電阻和切換損耗,這些半導體切換的應用範圍越來越廣,其導致市場對矽基MOSFET和IGBT的期望越來越高,且對性能的要求亦隨之提升。

儘管主要的半導體研發機構和廠商下大力氣滿足市場要求,並進一步改進MOSFET/IGBT產品,但在某些時候,收益遞減法則占主導。幾年來,儘管大幅度付出投入,但成效收穫甚微。技術和產品最終發展到一個付出與收穫不成正比的階段,並不罕見,這是在為新的顛覆性方法和新產品問世奠定基礎。

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