SiC MOSFET優勢顯著 車用/馬達電源效率一日千里

作者: Jeffrey Fedison
2019 年 12 月 05 日
隨著傳統矽基MOSFET技術日趨成熟,其正接近性能的理論的極限。寬頻隙半導體的電、熱和機械特性更好,能夠提高MOSFET的性能,是一項關注度很高的替代技術。商用矽基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是切換電源的主要功率處理控制元件,被廣泛用於電源、馬達驅動等電路設計。
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