高覆蓋/輕巧/低功耗　eFEM主攻通訊傳輸應用

在Wi-Fi無線射頻的架構下，有三個主要的關鍵零組件決定了Wi-Fi系統的效能，它們分別是Wi-Fi射頻主晶片(Wi-Fi Chipset)、前端射頻零組件如功率放大器、低噪放大器、開關或模組(PA/LNA/Switch or Front-End Module)與天線(Antenna)。由於半導體研發與製程技術的演進，除了晶片本身的運算能力外，系統整合度也大幅提升，基於市場的激烈競爭與客戶的特殊需求，愈來愈多的Wi-Fi射頻主晶片將功率放大器整合在射頻晶片中，以提供客戶更簡易與低成本的設計。

Wi-Fi技術經過了20年的演進，為了提升其連線效率與傳輸速率，調變技術(Modulation)與無線串流數目(Spatial Steam)也有重大的改變，由於這些改變，讓整個Wi-Fi裝置的設計變得更加的複雜。舉例而言，在最新Wi-Fi 6的技術，頻率調變技術由原先的OFDM升級到ODFMA，調變也由256QAM提升到1024QAM，串流數目也從最早的1×1進階到2×2、3×3、4×4，甚至8×8，回到設計面，愈是高效率高傳輸速率的裝置也意謂著更複雜且高規格的設計，這些新的技術與變革也對前端射頻零組件帶來新的挑戰，例如更加線性的功率輸出、更低的EVM Floor、更高的效率，與更好的接收靈敏度等等。

材料科學的突飛猛進也推進射頻零組件的進步，現今主流的獨立式Wi-Fi功率放大器製程為砷化鎵(GaAs)。由於砷化鎵有優秀高頻傳輸且具有高頻、抗輻射、耐高溫等特性，目前射頻功率放大器以砷化鎵IC所表現出的線性功率(Linearity)與使用效率(Efficiency)最為優秀，因此廣泛應用在主流的商用無線通訊設計，尤其Wi-Fi與行動通訊(3G/LTE)上，表1顯示了internal PA與external FEM的主要差異。