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拓展碳化矽應用 英飛凌發表62mm CoolSiC模組

文‧吳心予 發布日期:2020/07/20 關鍵字:英飛凌碳化矽CoolSiCMOSFETIGBT

英飛凌1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術,此封裝為碳化矽打開了250kW以上,矽基IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限,中等功率應用的大門。相較於一般的62mm IGBT模組,碳化矽的應用範圍更擴展至太陽能、伺服器、儲能、電動車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。

圖 此62mm模組配備英飛凌CoolSiC MOSFET 實現極高的電流密度。來源:英飛凌

該62mm模組配備英飛凌CoolSiC MOSFET,可實現極高的電流密度。其極低的開關損耗和導通損耗可減小散熱元件尺寸。在高開關頻率下運作時,可使用更小的磁性元件。透過英飛凌CoolSiC晶片技術,客戶可以設計出尺寸更小的變頻器,進而降低整體系統成本。

新產品採用62 mm標準基板和螺絲固定方式,具有高強固性的外殼結構設計,且設計經過最佳化,可達到最高的系統可用性,同時降低維修成本以及停機損失。良好的溫度循環能力和150°C的連續工作溫度(Tvjop),帶來系統可靠性。其對稱性的內部設計,能讓上下開關達到相同的切換條件。亦可選配熱介面材料(TIM),以進一步提高模組的熱效能。

採用62 mm封裝的CoolSiC MOSFET 1200V分別提供6mΩ/250 A,3mΩ/357 A和2mΩ/500A型號選擇。另外還推出有助快速特性化(雙脈衝/連續作業)的評估板,為便於使用,還提供了可彈性調整的閘極電壓和閘極電阻。此外,還可作為批量生產驅動器板的參考設計。

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