英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產品

英飛凌(Infineon)推出採用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC MOSFET 2000V裝置,不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求,而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求,也不會降低系統可靠性。...
2024 年 03 月 19 日

英飛凌CoolSiC高功率模組助攻節能電氣化列車

為了實現全球氣候目標,交通運輸必須轉用更加環保的車輛,比如節能的電氣化列車。然而,列車運行有嚴苛的運行條件,需要頻繁加速和制動,且要在相當長的使用壽命內可靠運行。因此,它們需要採用具備高功率密度、高可靠性和高品質的節能牽引應用。...
2023 年 06 月 07 日

Sungrow/英飛凌合推新光伏逆變器

隨著最新1500伏光伏串列式逆變器SG350HX的推出,陽光電源(Sungrow)提供解決方案,其最大輸出功率為352千瓦。因此,與其上一代逆變器相比,新的逆變器的輸出功率大幅增加了約40%。該逆變器配備了英飛凌(Infineon)的產品,為這一性能提升做出了貢獻:客製化的EasyPACK功率模組配備了最新發布的CoolSiC...
2021 年 10 月 18 日

400kW DC充電器 英飛凌CoolSiC助實現超快速EV充電站

西班牙電源轉換集團Ingeteam與英飛凌(Infineon)攜手合作,打造超快速(Superfast)電動車(EV)充電服務,讓客戶享有最佳體驗。Ingeteam所提供的INGEREV RAPID ST400轉換器的額定功率為400kW,內建採用EasyDUAL...
2020 年 07 月 22 日

拓展碳化矽應用 英飛凌發表62mm CoolSiC模組

英飛凌1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術,此封裝為碳化矽打開了250kW以上,矽基IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限,中等功率應用的大門。相較於一般的62mm...
2020 年 07 月 20 日

Si/SiC/GaN各擅勝場 功率開關元件選用要仔細

電源轉換器所使用的功率開關元件一直以來都採用矽(Si)半導體材料為主,但是隨著越來越多苛刻的應用與需求,矽半導體材料發展也趨近於材料本身的極限,使得矽功率開關元件已經無法完全符合需求。為了符合電源轉換器設計的需求,近年來寬能隙材料諸如碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)應運而生並且已被成功地商品化,本文探討電源轉換器設計者應該是沿用矽功率開關元件,還是轉而選用寬能隙功率開關元件,先由矽和寬能隙材料的特性進行比較,再進入討論CoolMOS,CoolSiC和CoolGaN的應用和定位,提供設計人員參考來選擇合適的功率開關元件。
2019 年 12 月 09 日

英飛凌CoolSiC MOSFET與TRENCHSTOP IGBT推出Easy 2B封裝

相較於傳統三階中點箝位拓撲,進階中點箝位(ANPC)變頻器設計可支援半導體裝置間的均勻損耗分佈。英飛凌科技旗下1200 V系列混合式SiC與IGBT功率模組新增採用ANPC拓撲 EasyPACK 2B封裝。此模組分別針對CoolSiC...
2019 年 08 月 12 日

落實快速DC充電架構 電池電動車行駛距離大躍進

隨著市場上電池電動車(BEV)的款式陸續推出,加上政府亟欲利用電動車將汽車排放量減到零,使BEV成為市場的新寵兒。但BEV最讓人詬病的其中一點,就是行駛距離遠比不上內燃機(IC)引擎的車輛。雖然絕大多數BEV的行駛距離約有160公里(100英里),足以涵蓋平均的日常通勤距離,也就是大約10至20公里。但是,汽車可不只是一項滿足單一活動就足夠的運輸工具,日常的通勤範圍通常還會包含接送小孩上學、放學後送小孩去課後活動,還要順路去超市。將所有這些額外的路程考慮進去後,有些消費者甚至可能將電動車的充電量完全耗盡。此外,與內燃機車輛不同的是,電動車的充電工作可不是幾分鐘就能完成。在考量距離更遠的旅程時,還要經常停車充電,可不會是經得起考驗的選項。
2019 年 08 月 12 日

開創功率轉換新局面 SiC MOSFET邁入主流市場

碳化矽(SiC)MOSFET的優異技術功能必須搭配適合的成本定位、系統相容性功能、近似於矽的FIT率以及量產能力,才足以成為主流產品。電力系統製造商需在實際商業條件下符合所有上述多項要素,以開創功率轉換的新局面,尤其是以能源效率以及「以更少投入獲得更多產出」為目標的案例。
2018 年 12 月 29 日

滿足高功率轉換/小體積電源設計需求 晶片商啟動SiC軍備競賽

為提升電子系統整體電源轉換效能與功耗,並達到輕量化目標,在矽元件被認為已逐漸面臨極限的狀況下,半導體業者開始發展寬能隙半導體。其中,SiC具備高切換速度與低損耗,可實現輕量化、高效率目標,於電動車、工業等市場中的導入腳步急速加快。
2018 年 08 月 09 日

SiC應用市場起飛 英飛凌積極布局

因應節能減碳風潮,碳化矽(SiC)因具備更高的開關速度、更低的切換損失等特性,可實現小體積、高功率目標,因而躍居電源設計新星;其應用市場也跟著加速起飛,未來幾年將擴展進入更多應用領域,而電源晶片商也加快布局腳步,像是英飛凌(Infineon)便持續擴增旗下CoolSiC...
2018 年 08 月 03 日

英飛凌1200V SiC MOSFET增進功率轉換效率

英飛凌(Infineon)宣布推出SiC(碳化矽)MOSFET技術,讓產品設計達到較佳的功率密度和效能水平。該公司的CoolSiC MOSFET在提升效率與頻率上,提供更高的靈活度,協助功率轉換配置的開發人員達到節省空間和重量、減少冷卻需求、提升可靠性並縮減系統成本。 ...
2016 年 05 月 16 日