高壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子移動率電晶體(HEMTs)的開關性能支持新的拓撲結構，能夠提升開關電源效率和密度。GaN的終端電容(Ciss/Coss/Crss)較低，且無第三象限反向恢復(Reverse Recovery)。這些特性支持高頻硬開關拓撲結構，如圖騰柱無橋式功率因數控制器(PFCs)，其高開關損耗無法藉由MOSFET和絕緣閘雙極晶體管(IGBT)實現。本文將強調直接驅動GaN晶體管的好處，包括較低的開關損耗、提升開關速度(Slew Rate)控制和強化裝置保護功能等。

電源轉換器所使用的功率開關元件一直以來都採用矽(Si)半導體材料為主，但是隨著越來越多苛刻的應用與需求，矽半導體材料發展也趨近於材料本身的極限，使得矽功率開關元件已經無法完全符合需求。為了符合電源轉換器設計的需求，近年來寬能隙材料諸如碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)應運而生並且已被成功地商品化，本文探討電源轉換器設計者應該是沿用矽功率開關元件，還是轉而選用寬能隙功率開關元件，先由矽和寬能隙材料的特性進行比較，再進入討論CoolMOS，CoolSiC和CoolGaN的應用和定位，提供設計人員參考來選擇合適的功率開關元件。

隨著傳統矽基MOSFET技術日趨成熟，其正接近性能的理論的極限。寬頻隙半導體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關注度很高的替代技術。商用矽基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是切換電源的主要功率處理控制元件，被廣泛用於電源、馬達驅動等電路設計。

已有令人驚訝的小範圍聚合物材料，能滿足微電子領域多年的結構性塑膠需求。常見的名單包括環氧樹脂(填充和未填充)、聚醯亞胺(PI)、有機矽、苯並環丁烯(BCB)和BT樹脂。在很大的程度上會選擇這些聚合物化學物質，以與矽的剛性和低熱膨脹特性及傳統封裝製造中常用的高加工溫度搭配。

隨著排放法規愈趨嚴苛、先進汽車電子零組件不斷成長的電力負載要求，以及從機械到電力功能的轉換，傳統汽車電池的載流容量(Current Carrying Capacity)已達到極限。12V鉛酸電池系統遇見了強勁的對手。為解決此問題，汽車製造商及其供應商已開發出48V電力系統。與傳統且可單獨運作的12V電池相比，48V系統可在更低的電流下提供更多電力。

近年來，汽車電氣化受大勢影響，汽車電氣化不只是限於純電動汽車，還不斷透過電力控技術取代傳統電子零件和繼電器，或者在某些狀況下導入新的功能。 大規模的汽車電氣化正在推動自動駕駛朝向更高階發展，從中長期看，許多汽車可能被視為「無人駕駛計程車」。根據這一新的駕駛概念，車門內所有的功能都將自動化，例如，智慧自動開門和防碰撞檢測。這些自動化系統將能偵測到行人或騎士正在靠近車體，並自動控制開門，以避免碰撞危險。未來的車門內還將安裝先進的感測器，用於偵測車門外的障礙物，防止車門被撞壞。

隨著物聯網的不斷發展，數以百萬計的網際網路連接設備應運而生，因此資料中心的營運商都在致力於跟上資料傳輸方面的要求。他們必須尋求各種方式來滿足資料和儲存上日新月異的需求，同時確保服務品質、降低成本。

人類感官數位化是一項持續的追求過程。無論是可複製人眼功能的高靈敏度攝影機、可從背景噪音中擷取特定聲音或對話的超靈敏麥克風，或是可對物理刺激做出反應的觸控感應表面，這些裝置現在均已問世，在日常使用的產品中就能發現這些裝置的蹤跡。智慧型手機具有觸控感應顯示器、指紋讀取器和臉部識別功能。智慧家庭裝置會聆聽關鍵字指令，並根據口頭指示執行任務。但是，目前這些裝置還缺少一些人類感官，例如可以嗅聞和品嚐味道的裝置。

隨著IoT技術的快速發展，新一代精巧、低成本且易於維護的建築物聯網(Building IoT, BIoT)系統已為傳統以封閉技術為主的建築物自動化系統帶來了全新的變革，而且以BIoT技術建構的建築物管理系統也不再是僅有大型建築才負擔得起，更可以擴展應用到中小型的建築，有助於進一步開創出全新的市場商機。

當我們談論汽車安全時, 大多數人都想到保護汽車不受小偷的襲擊。但隨著自動駕駛、快速擴展的連接選項和日益複雜的環境，車輛容易受到新型網路攻擊的影響，在這個新的環境中車輛比以往任何時候都需要更多的保護，而駕駛和乘客每天都依靠雲端提供的服務和資料來保持與世界連接，因此希望在路上也能有同樣的便利。