Aviza宣布推出全球第一台12吋晶圓級離子束沉積系統。第一臺系統已出貨至法國格勒諾伯市的歐洲領先電子學及自旋電子學應用研究中心CEA-LETI-MINATEC。StratIon fxP將用於研發次世代磁控穿隧接合面(MTJ)的裝置，以應用在包括磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、硬碟驅動讀寫頭或射頻(RF)元件。該系統也將用於先進互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程的金屬閘極沉積中。除了將該系統出貨，CEA-LETI外與Aviza簽署了一項三年的聯合發展計劃，內容包括未來MRAM和自旋電子裝置將會用到的MTJ沉積製程研發。
該系統是為高產量生產矽晶廠所設計的，已生產的驗證硬體和軟體平臺，可依下列三種標準腔室型態組裝：預清洗、氧化和沉積。其他Aviza的沉積腔室，如原子層沉積(ALD)和磁控PVD能視彈性需要良好無縫地連接整合到此系統中。相較於現有的MTJ沉積系統，StratIon fxP擁有成本低、產出高，同時在工廠的占地面積也較小。
Aviza的離子束沉積系統具有傳統磁控濺射法所沒有的重要優勢。使用Aviza專利的M0RI電漿源能在超低壓力下沉積薄膜，比現有MTJ濺射沉積設備所生產的薄膜要平滑兩倍。在MTJ疊層中，最薄的薄膜厚度小於10埃，而平滑度是一個關鍵參數。StratIon fxP能在12吋晶圓上生產方均根粗糙度小於2埃、厚度非均勻性小於0.5%的薄膜。
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