快捷半導體(Fairchild)推出第四代650伏特(V)及1,200V絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)元件，其可降低能量損失達30%。該公司採用專為工業及汽車市場高/中速開關應用量身定製的新設計方法，可供工業較佳效能及較強的閂鎖抗雜訊能力，實現較佳耐用性與可靠性。
Fairchild Fellow Thomas Neyer表示，該公司採用的新方法包括，透過精細的單元間距設計來增強效率，實現較高的電子射入效率，透過新的緩衝結構限制電洞載子的射入，這些改進實現較佳效能，使該公司能賦予製造商新解決方案，藉助該IGBT控制電源產生的巨額成本。
資深IGS分析師Victoria Fodale表示，製造商高度關注更先進的IGBT，降低IGBT的開關損失能提高產品能效。在各項應用中，從電動汽車及太陽能光伏發電系統，到高效率HVAC應用及工業逆變器，最大限度降低損失是實現高能效的關鍵因素。
該公司採用新的自校準接觸技術來實施高密度間距、自平衡單元結構，在-40～175°C的溫度範圍內可實現較高電流密度及較佳的動態開關特性。新款第四代IGBT具有較低的飽和電壓及低開關損失等權衡特性，助客戶實現更高系統效率。
Fairchild網址：www.fairchildsemi.com
