為滿足下一代連網裝置超低功耗的需求，GLOBALFOUNDRIES推出22FDXTM平台。該平台媲美FinFET的性能和能效，成本趨近於28奈米平面式技術，是行動、物聯網、RF連結及網路市場的較佳解決方案。
GLOBALFOUNDRIES公司營運長Sanjay Jha表示，新平台讓客戶善用較佳的功耗、性能和成本之綜合表現，推出有別於市場的產品，並推出即時系統軟體可控制電晶體特性，系統設計師能動態平衡功率、性能和漏電。此外，對於RF和類比整合來說，該平台提供較佳的調整彈性，同時具備較高的能源效率。
雖然有些應用會要求到3D FinFET電晶體性能，但多數的無線裝置需要性能、功耗和成本之間的最佳綜合考量。運用22奈米(nm)2D全空乏絕緣覆矽(FD-SOI)技術，該平台提供成本敏感應用較佳的選擇途徑，憑藉0.4伏特(V)的運作電壓，達到較低動態功耗、更低熱效應，以及更精巧的最終產品尺寸規格。相較於28奈米，22FDX晶粒尺寸縮減20％，光罩數目減少10%；而相較於foundry FinFET，更減少近50%的浸潤式微影層。
該公司在德勒斯登發布的FDX平台上投資2.5億金作為技術發展和早期22FDX產能建立，屆時自2009年以來對於Fab 1總投資額將超過50億美金。同時也計畫進一步投資以因應客戶需求，此外，並與研發團隊和業界龍頭合作，共建穩健生態系統，不但加速產品上市時間，並且提供22FDX系列各產品。
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