國際整流器(IR)推出一系列新型的25伏特及30伏特N-通道溝道HEXFET功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。它們針對同步降壓轉換器及電池保護增強了轉換效能，適用於消費者和網路方面的電腦運算應用。
這個新型的MOSFET系列通過IR得到肯定的矽技術，提供基準通態電阻 (RDS(on))，並且改進了切換效能。新元件的低傳導損耗提高了全負載效率及溫度效能。同時，它們即使在輕負載下，低切換損耗也有助達到高效率。
單個及雙N-通道MOSFET現在已開始供應。除了D-PAK、I-PAK和SO-8封裝之外，單個N-通道元件也為高量生產作出了最佳化，提供PQFN 5毫米×6毫米和3毫米×3毫米封裝。雙N-通道元件則採用SO-8封裝。新元件符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)，更可以不含滷素。
國際整流器網址：www.irf.com
