國際整流器(IR)宣布成功開發革命性氮化鎵(GaN)功率元件技術平台，能為客戶改進主要特定應用的優值(FOM)，使其較先進矽技術平台提升最多十分之一，讓客戶在適用於運算及通訊、汽車和家電等不同市場的終端應用提升效能並減少能源消耗。這款開創先河的GaN功率元件技術平台，是IR經過5年的時間，基於其專有矽上GaN磊晶技術進行開發研究的成果。
該公司的GaN功率元件技術平台為功率轉換解決方案帶來革命性的改進。這項研究因有效引進國際整流器60年來在不同應用，包括AC-DC功率轉換、DC-DC功率轉換、馬達驅動、照明、高密度音效與汽車系統等功率轉換方面的專業知識，使系統方案產品陣營和相關的智慧財產(IP)遠超出先進的分立功率元件。
這款高吞吐量的150毫米矽上GaN磊晶和相關的元件製造程序，能全面與國際整流器具備成本效益的矽製造設施配合，為客戶提供世界級的商業可行性GaN功率元件製造平台。
國際整流器網址：www.irf.com
