IXYS推出新系列之大電流中電壓的功率MOSFET，電壓範圍在55～100伏特，其特點為超低功耗/超低的導通阻抗(Rds(on))。此新系列大電流中電壓功率MOSFET係採用IXYS自行開發的ISOPLUS i5封裝技術，使用5支腳的封裝，提供極低的導通及切換損失。結合2片的中電壓MOSFET晶片，具有極高的信賴性及處理高功率的能力。
ISOPLUS i5封裝的最大特色，在於超強的隔離效果(Superior Isolation)/耐高溫/功率循環(Power Cycle)能力，且容易設計，組裝於PC板上。此ISOPLUS i5架構，包括5支腳/雙晶片/共用閘極(Common-gate)，並結合銅網及背面散熱片。這些裝備，可使此MOSFET達到150安培(二晶片)的額定電流。所有IXYS的ISOPLUS封裝，都用DCB(Directed-copper-bonded)隔離，具有UL認證，並可提供整體背面的隔絕效果，隔離能力可達2500伏特。
新系列的ISOPLUS i5功率MOSFET的應用範圍極廣，可用在工業設備、電力系統、馬達控制、汽車/電動車電路系統、電池充電器、及DC/DC轉換器等。
IXYS網址：www.ixys.com
