JEDEC固態技術協會日前發布測試氮化鎵(GaN)功率轉換裝置連續開關模式的新方法規範JEP182，此規範由JEDEC的JC-70寬能隙半導體委員會開發。為了將GaN功率電晶體推向市場，功率轉換應用的運作穩定性，以及開關壽命都是必須兼顧的重點。JEP182加上JC-70先前制定的規範，讓JEDEC針對GaN功率電晶體的規範變得更加完整。JEP182規範主要針對在連續開關式電源轉換應用中，如何對GaN電晶體的可靠性進行評估、測試及特徵化。
JC-70主席暨德州儀器創新技術架構師Stephanie Watts Butler表示，JEP182是前一代JEP180標準的補強，能促進GaN功率元件在自駕車及資料中心等方面的應用。
過去的矽電晶體安全工作區(Safe Operating Area, SOA)測試方法，無法完成GaN電晶體的特徵測試，因為GaN元件的開關速度快，並且常會遇到需同時承受電壓及電流應力的狀況。因此，除了SOA之外，勢必須要加入能應對GaN電晶體連續開關狀態的測試方式。JEP182彌補了這項空白，相關文件可以在JEDEC官網上下載。
