Littelfuse推出SiC MOSFET/IGBT低側柵極驅動器

2024 年 06 月 17 日

Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT閘極驅動器。該款創新的驅動器專門設計用於驅動工業應用中的碳化矽(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極電晶體(IGBT)。

IX4352NE的主要優勢在於其獨立的9A拉/灌電流輸出,支援量身定制的導通和關斷時序,同時將開關損耗降至最低。內部負電荷調節器還能提供使用者可選的負閘極驅動偏置,以實現更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。此驅動器的工作電壓範圍(VDD-VSS)達35V,具有出色的靈活性和性能。

IX4352NE的突出功能之一是配備內部負電荷泵調節器,無需外部輔助電源設備或DC/DC轉換器。此功能對於關斷SiC MOSFET尤其實用,可節省外部邏輯電平轉換器電路通常所需的寶貴空間。邏輯輸入與標準TTL或CMOS邏輯電平相容,進一步增強了節省空間的能力。

IX4352NE非常適合在各類工業應用中驅動SiC MOSFET,例如:車用和非車用充電器、功率因數校正(PFC)、DC/DC轉換器、馬達控制器,和工業電源逆變器。

卓越的性能使其成為電動車、工業、替代能源、智慧家庭和建築自動化市場中要求嚴格的電力電子應用的理想選擇。

憑藉其全面的功能,IX4352NE簡化了電路設計並提供了更高的整合度。內建保護功能,如具有軟關斷灌電流驅動器的去飽和檢測(DESAT)、欠壓鎖定(UVLO)和熱關斷(TSD)等,可確保功率元件和閘極驅動器得到保護。整合的開漏FAULT輸出向微控制器發出故障訊號,增強了安全性和可靠性。此外,IX4352NE還能節省寶貴的PCB空間並提高電路密度,有助於提高整體系統效率。

對現有IX4351NE的顯著改進包括:由DESAT啟動的安全軟關斷、高閾值精度熱關斷、電荷泵在熱關斷期間的工作能力。

新款IX4352NE與接腳相容,可無縫替換指定使用現有Littelfuse IX4351NE的設計,該設計於2020年發布。

Littelfuse積體電路部(SBU)產品經理June Zhang表示,IX4352NE透過一種新型9A拉/灌電流驅動器擴展了Littelfuse廣泛的低側閘極驅動器系列,簡化了SiC MOSFET所需的閘極驅動電路。其各種內建保護功能和整合式電荷泵提供了可調的負閘極驅動電壓,能提高dV/dt抗擾度和關斷速度。因此,該產品可以用來驅動任何SiC MOSFET或功率IGBT,無論是Littelfuse裝置還是市場上任何其他類似裝置。

IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT閘極驅動器以每管50只的管裝形式供貨,也可以捲帶封裝形式供貨,起訂量2,000只。可透過Littelfuse全球各地的授權經銷商索取樣品。

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