貿澤電子(Mouser)即日起開始供應Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)電晶體。QPD1025在65V的運作功率達1.8kW，為功率最高的碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)射頻電晶體，擁有高訊號完整度和延伸的涵蓋範圍，適合L波段航空電子和敵我識別(IFF)應用。
GaN技術的效能與可靠度已獲實證考驗，為基礎架構、國防與航太應用的最佳選擇，適用於雷達、通訊、導航與類似應用。其效能等級更為提升，讓設計人員在節省基板空間、降低系統成本等方面擁有更多彈性，並改善系統效能。
貿澤所供應的Qorvo QPD1025L為高電子遷移率電晶體(HEMT)，同時支援脈衝與連續波(CW)運作，能更有效地提供等同於矽基LDMOS裝置的效能。此裝置透過65V電軌供電，提供22.5dB線性增益和77.2%的典型功率附加效率(PAE3dB)。QPD1025L電晶體具備內部輸入預先匹配，可簡化與外部電路板的匹配，同時節省電路板空間。此外，該電晶體符合無鉛和RoHS標準，受QPD1025L評估板支援。
