國家儀器(NI)近日發表了 PXIe-4163高密度電源量測單元(SMU)，其 DC通道密度為上一代NI PXI SMU的 6 倍，適合用來測試 RF、MEMS與混合訊號，以及其他類比半導體元件。
NI 全球銷售與行銷執行副總 Eric Starkloff 表示，5G、物聯網與自動化汽車等高顛覆性技術的出現，迫使半導體產業必須持續推動技術發展，並採用更具效率的方式來進行半導體測試。半導體測試在該公司的策略布局中佔有重要地位，正因如此，該公私正積極擴充旗下軟體平台與PXI的功能，並促成最新款PXI SMU的問世，協助晶片製造廠解決眼前的重大挑戰。
許多晶片製造廠均已迅速採用半導體測試系統(STS)，以達到提高產量、提升成本效益與縮減生產線規模等目的。新款SMU可進一步發揮上述功效，其具備更高的DC通道密度，能在多站點應用上實現更高等級的平行機制，同時透過可立即用於生產的規格，達到實驗室等級的量測品質。工程師可結合運用上述優勢，將相同的儀控設備運用在檢驗實驗室與生產線上，如此即可減少與量測相關的種種難題，並縮短上市時間。
