大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

大尺寸矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板發展露曙光。工研院利用氮化鋁(AIN)緩衝層薄膜材料,以及氮化鋁鎵(AlGaN)/氮化鎵超晶格(Superlattices)低缺陷密度緩衝層技術,已成功製作出...
2013 年 06 月 06 日