圖6 (圖左與圖中)環型振盪器上的鰭型結構掃描傳輸電子顯微鏡(STEM)影像與(圖右)貫穿閘極(能量色散X射線光譜儀,即EDS)的元素標示顯示CMOS圖形化與鉬基p型功函數金屬堆疊的良好均勻一致性。

DRAM儲存密度要求只增不減 熱穩定FinFET潛力可期

數十年來,動態隨機存取記憶體(DRAM)一直是運算系統中的主記憶體,扮演暫存器的角色,讓運算處理單元可以更快存取資料和程式碼。高速運作、高整合密度、成本效益和出色的可靠度,讓DRAM技術能夠在多種電子設備中得到廣泛應用。...
2025 年 11 月 21 日