在SoC中實現異質整合 CMOS 2.0開闢新道路(1)

數十年來,為CPU與GPU等高效能運算(HPC)所開發的單片式系統單晶片(SoC)之所以能有進展,全有賴於互補式金氧半導體(CMOS)成功實現微縮。CMOS為SoC開發人員提供了一套能讓他們在同個單一基板整合越來越多功能的技術平台。就算是朝向多核心結構發展,結果顯示,比起在不同晶片之間傳輸資料,把各個功能整合在同一個基板上能提供更高的效率。 除此之外,只要轉換到另一個技術節點來微縮電晶體和內連導線,還能改良SoC的功耗、性能、面積和成本(PPAC)。微縮程度最高的技術已經用於SoC的每個功能構件—從運算單元到快取記憶體,甚至是環繞整個系統(包含靜電放電保護元件、功率和時脈分配、訊號網路與訊號輸入/輸出)的基礎架構。 長期以來,這套CMOS平台滿足了行動應用與高效能運算的不同運算需求。但這種通用型技術平台漸漸開始停擺,原因有二。首先,尺寸微縮所能提供的系統級PPAC成效開始減縮。其次,曾獲好評的SoC異質性–利用2D方法增加更多功能來實現,逐漸顯露出作繭自縛的窘境。我們一直只靠一項技術來建構SoC的所有關鍵功能,但隨著應用多樣化,設計人員需要滿足的運算規格種類日益增加,例如功率密度、記憶體頻寬、速度、工作量、成本、構型尺寸等,只靠一種技術來滿足所有需求的挑戰難度越來越高。 CMOS...
2024 年 12 月 18 日

在SoC中實現異質整合 CMOS 2.0開闢新道路(2)

數十年來,為CPU與GPU等高效能運算(HPC)所開發的單片式系統單晶片(SoC)之所以能有進展,全有賴於互補式金氧半導體(CMOS)成功實現微縮。CMOS為SoC開發人員提供了一套能讓他們在同個單一基板整合越來越多功能的技術平台。就算是朝向多核心結構發展,結果顯示,比起在不同晶片之間傳輸資料,把各個功能整合在同一個基板上能提供更高的效率。 關鍵推手:3D內部互連和功能晶背 CMOS...
2024 年 12 月 18 日

CFET技術取得重大突破 製程微縮繼續前行

在2021年IEEE國際超大型積體電路技術研討會(VLSI Symposium)期間,imec首次提出叉型片(Forksheet)的元件架構,用來延續奈米片(Nanosheet)電晶體發展,微縮至1nm以下的技術節點(圖1)。 圖1 電晶體架構發展藍圖:由左至右依序為鰭式場效電晶體(FinFET)、奈米片、叉型片與CFET 在叉型片架構中,因為N型與P型電晶體的間距縮小,元件的有效通道寬度能夠大於傳統的環繞閘極(GAA)奈米片電晶體。這有利於增加電晶體的驅動電流或DC性能。此外,N-P間距縮短也有助於縮短標準元件高度,漸漸推進4軌的元件高度設計,亦即將4條金屬導線布建在標準元件的高度內。 然而,4軌元件設計與16nm導線間距並不容易實現,叉型片元件太過狹窄,難以提供所需的性能。imec在2022年國際超大型積體電路技術研討會(VLSI...
2022 年 09 月 05 日