圖1 GAA奈米片的穿透式電子顯微鏡圖

可製造性大幅提升 外壁叉型片解決GAA量產難題

頂尖晶圓代工廠和垂直整合製造商(IDM)正持續為實現2奈米(或相當等級)技術節點的量產而發展,而環繞閘極(GAA)奈米片(Nanosheet)電晶體在該節點扮演核心角色。GAA奈米片元件架構一直作為鰭式場效電晶體(FinFET)的後繼技術而推行,讓靜態隨機存取記憶體(SRAM)和邏輯標準單元得以進一步縮小尺寸。...
2025 年 12 月 29 日