圖1 從左至右分別為:透明線條(曝光)、暗線條(未曝光)、透明孔洞、暗柱,顯示EUV製程中跨特徵與節距的量測誤差,凸顯線性度校正需求。

克服曲線光罩設計挑戰 像素級曝光校正效果卓越

在近期舉辦的SPIE Photomask Japan 2025會議上,筆者與其他人共同發表了一篇標題為《全光罩曲線即時線性修正:包含可變偏差與零週轉時間》(Full Reticle Curvilinear...
2025 年 11 月 05 日