常關需求引發路線之爭 D-mode GaN不容低估(1)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型:常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時,有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上,常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面,都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。 氮化鎵中的大自然饋贈 二維電子氣(2DEG)氮化鎵電晶體的成功,很大程度上歸功於一個關鍵的自然現象:2DEG溝道。2DEG是在GaN和AlGaN薄層界面處自發形成極其快速的導電通道。其自發存在的電子濃度,...
2023 年 10 月 31 日