節能型功率轉換領域的高壓積體電路廠商Power Integrations(PI)，展示了其PowiGaN氮化鎵技術對於新一代AI資料中心的優點。Power Integrations在聖荷西舉辦的2025 OCP Global Summit上發布的新白皮書說明了1250 V和1700 V PowiGaN技術對於800 VDC電源架構的優勢，NVIDIA在本次大會上提供了800 VDC架構的更新。Power Integrations與NVIDIA攜手合作加速轉向800 VDC電源與兆瓦級機架。
白皮書詳細介紹了Power Integrations業界首款1250 V PowiGaN HEMTs的效能優勢，說明其經過實地驗證的可靠性及滿足800 VDC架構功率密度和效率要求(>98%)的能力。 此外，該白皮書還展示了單個1250 V PowiGaN切換開關提供了比堆疊式650 V GaN FETs與競品1200 V SiC裝置更高的功率密度和效率。
白皮書還強調Power Integrations的InnoMux 2-EP IC成為800 VDC資料中心輔助電源供應器的解決方案。InnoMux-2裝置的整合式1700 V PowiGaN切換開關支援1000 VDC輸入電壓，同時，其SR ZVS運作在液冷、無風扇800 VDC架構中提供超過90.3%的12 V系統效率。
隨著AI電力需求的成長，轉向800VDC輸入可簡化機架設計，更有效地利用空間並減少銅使用量，鑒於機架功率要求的攀升，PI將1250V與1700V PowiGaN裝置視作主要和輔助電源供應器的理想選擇，提供800VDC資料中心所需的效率、可靠性和功率密度。
Power Integrations批量生產高壓1250V與1700V GaN切換開關的供應商，於2018年推出其首款GaN IC，目前在終端產品中已有超過1.75億個GaN切換開關正在使用當中，這些產品從快速充電器到資料中心再到電動車輛，不一而足。
