Qorvo資深產品行銷經理陳慶鴻:高整合/低電壓射頻前端再進化

作者: 廖專崇
2025 年 01 月 09 日

隨著智慧手機發展越來愈成熟,更多功能被整合到手機中,在功能需求持續成長與電池能量密度持續提升的前提下,智慧手機內的相關元件被要求持續縮小空間並降低耗電量,長期發展射頻前端(RF Front End, RFFE)技術的Qorvo,透過提供高整合、低電壓的解決方案回應產業需求。

Qorvo前瞻產品業務部產品行銷經理陳慶鴻表示,QM77051/QM77050為Qorvo第四代設計架構,亦是第一顆整合低頻與中/高頻的整合型射頻前端模組

Qorvo整合型射頻前端模組QM77051和QM77050整合功率放大器(PA)、開關(Switch)、濾波器(Filter)、低雜訊放大器(LNA)和雙工器,Qorvo前瞻產品業務部產品行銷經理陳慶鴻表示,該解決方案為Qorvo第四代的設計架構,亦是第一顆整合低頻與中/高頻的整合型射頻前端模組。

陳慶鴻說明,該公司的射頻前端過去架構為多顆設計,此系列為首款整合低中高頻的解決方案,與離散式設計相較,可實現更小的PCB面積節省超過35%電路板空間,可減少元件數量並大幅降低成本,讓出更多空間給電池使用,降低智慧手機成本並簡化供應鏈管理。

與過去兩顆的解決方案相比,Qorvo提供接腳相容的設計,並預期2025年之後5G獨立組網(Standalone, SA)將逐漸成長,QM77051和QM77050可支援SA和NSA單佈局解決方案。除了體積之外,手機廠也在省電上持續要求,陳慶鴻提到,過去功率放大器電壓最低僅支援4.2伏(V),此次架構將電壓進一步降低至3.4V。

另外,非地面廣播(NTN)成為熱門話題,各手機大廠也將衛星直連功能逐步導入,由於低軌衛星通訊的頻段不同於現行地面基地台使用的頻段,因此需要導入新的射頻前端,陳慶鴻說明,目前已有手機品牌廠要求,之後需要支援3GPP NTN的頻段,以因應相關技術服務隨時可能開通。

整體而言,在功能持續成長,手機整體效能與待機時間提升的要求之下,大部分的半導體都在產品尺寸與耗電上不斷壓縮,射頻前端需要提供更多通訊服務,除了透過半導體製程之外,Qorvo也不斷在設計上進行精進,以因應產業競爭的需要。

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