半導體製造商ROHM推出30V耐壓共源Nch MOSFET新產品「AW2K21」，封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻低至2.0mΩ，達到業界頂級水準。
新產品採用ROHM獨家結構，不僅提高元件集約度，更降低單位晶片面積的導通電阻。透過在單一元件中內建雙MOSFET結構的設計，僅1顆新產品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保護需求。新產品中的ROHM獨家結構能夠將通常垂直溝槽MOS結構中，位於背面的汲極引腳置於元件表面，並採用了WLCSP封裝。WLCSP能夠增加元件內部晶片面積的比例，並降低新產品的單位面積導通電阻。導通電阻的降低不僅減少了功率損耗，更有助支援大電流，使新產品能夠以超小體積支援大功率快速充電。
例如對小型設備的雙向供電電路進行比較後發現，使用市場競品時需要2顆3.3mm×3.3mm的產品，而使用新產品時僅需1顆2.0mm×2.0mm的產品，元件面積可減少約81%，導通電阻可降低約33%。即使與通常被認為導通電阻較低的同等尺寸GaN HEMT相比，新產品的導通電阻也降低了約50%。因此此款兼具低導通電阻和超小體積的「AW2K21」將有助於降低應用產品的功耗並節省空間。
新產品還可作為負載開關應用中的單向保護MOSFET使用，在此情況下也實現了業界頂級導通電阻。新產品已於2025年4月開始以每月50萬個的規模投入量產，並已開始透過電商平台銷售。
ROHM目前亦在開發更小體積的1.2mm×1.2mm產品，將繼續致力提供更節省空間、並進一步提升效率的產品，助力應用產品小型化和節能化發展。
