ROHM第4代SiC MOSFET導入日立安斯泰莫EV逆變器

2022 年 12 月 27 日

ROHM第4代SiC MOSFET和閘極驅動器IC已由日立安斯泰莫株式會社使用於電動車(EV)逆變器。

在全球實現減碳社會的過程中,汽車的電動化進程持續加速,在此背景下,開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路。尤其是在EV領域,為了延長續航里程並縮減電池尺寸,如何提高驅動核心「逆變器」的效率已成為重要課題,市場對碳化矽功率元件更是寄予厚望。

ROHM自2010年起開始量產SiC MOSFET,在SiC功率元件技術開發方面,其中新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受時間,並實現了業界超低導通電阻。在車電逆變器中採用該產品時,與使用IGBT時相比,電耗可以減少6%(按照國際標準「WLTC燃料消耗量測試」計算),有助延長電動車的續航里程。

日立安斯泰莫多年來一直致力於車用馬達和逆變器等相關技術研發,並且已經為日益普及的EV提供了大量產品。本次為了進一步提高逆變器性能,日立安斯泰莫首次在主驅逆變器的電路中採用了SiC功率元件,並計畫2025年起,向包括日本在內的全球車廠供應逆變器產品。

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