SiC MOSFET優勢顯著 車用/馬達電源效率一日千里

作者: Jeffrey Fedison
2019 年 12 月 05 日
隨著傳統矽基MOSFET技術日趨成熟,其正接近性能的理論的極限。寬頻隙半導體的電、熱和機械特性更好,能夠提高MOSFET的性能,是一項關注度很高的替代技術。商用矽基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是切換電源的主要功率處理控制元件,被廣泛用於電源、馬達驅動等電路設計。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

固態照明標準推波助瀾 LED照明解決方案風起雲湧

2008 年 08 月 25 日

善用Y係數/冷雜訊量測 ATE有效降低RF量產測試成本

2008 年 09 月 01 日

石墨烯材料助力 鋰離子電池性能更上一層樓

2016 年 08 月 11 日

Boosted NFC安全晶片/FIDO方案雙管齊下  行動支付身分認證更穩當

2018 年 01 月 14 日

數位轉型浪潮起 感測技術全面進化

2018 年 01 月 25 日

MPSoC整合FIPS 140-3認證環境 強化通訊加密安全(1)

2024 年 03 月 29 日
前一篇
ADI推出高整合寬頻RF收發器簡化應用設計
下一篇
加快智慧製造在台實現 IBM打造智慧製造生態圈