SOI提升晶圓良率 電子束檢測技術為關鍵

2005 年 10 月 21 日
絕緣層覆矽(SOI)晶圓由於具有低功率和高處理速度的優點,已獲得業界廣泛採用。這也使得採用新方法對SOI晶圓進行電子束檢測(EBI)的要求出現...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

iPhone畫面幕後功臣 3D顯示晶片當之無愧

2010 年 08 月 16 日

迎接巨量資料時代 複數光調變技術加速傳輸速率

2015 年 04 月 13 日

改用熱電式/超音波流量檢測 燃氣表精準/設計靈活度大增

2016 年 02 月 18 日

5G規格陸續拍板 克服NR設計挑戰有訣竅

2018 年 12 月 13 日

數位電源安全/功率密集/高效率達陣 GaN FET/即時MCU相得益彰

2021 年 06 月 20 日

輔助資訊娛樂/資通訊控制/ADAS Wi-Fi 6E導入聯網汽車應用

2023 年 04 月 13 日
前一篇
Freescale DSPD56374讓更多人享受杜比音效技術
下一篇
MCU技術發展暨應用解析研討會11月3日登場